MBE-500 分子束外延系統(tǒng)

MBE-500 主要采用氬弧焊加工的圓柱形316不銹鋼腔體，腔體頂部法蘭尺寸為DN400CF，配置10個以上的蒸發(fā)源。系統(tǒng)預(yù)留多種法蘭口，安裝法蘭兼容RGA、RHEED、BFM等多種原位測量。模塊化設(shè)計，設(shè)備多功能性強，束流擋板瞬時可控，可實現(xiàn)2 inch高質(zhì)量薄膜生長。

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詳詢產(chǎn)品信息

021-6525 3206

產(chǎn)品特點

● 可靈活配置不同種類的蒸發(fā)源，可在襯底上進(jìn)行高質(zhì)量外延成長	● 應(yīng)用范圍廣，兼容III-V族、氧化物、氮化物薄膜生長	● 可互聯(lián)Cluster傳樣系統(tǒng)，實現(xiàn)2 inch襯底托盤全自動傳遞
● 配備原位檢測系統(tǒng)，實時監(jiān)控生長狀態(tài)

技術(shù)參數(shù)

MBE-500	模塊描述		配置參數(shù)
生長室	腔體	腔體材料	SS316
		腔體尺寸	400mm I.D
		烘烤溫度	Max.200℃
		本底真空	< 5×10^-10 mbar
		抽氣系統(tǒng)	700L/s分子泵+10m³/h機械泵
		真空測量系統(tǒng)	離子規(guī)+Pirani規(guī)
		液氮冷屏	選配
		離子泵	選配
		低溫泵	選配
	樣品架	樣品尺寸	2 inch
		襯底加熱方式	輻射加熱
		襯底加熱器溫度	室溫-1200K
		電子束加熱	選配
		直流加熱	選配
		液氮制冷模塊	選配
	部件	蒸發(fā)源配置	6xDN40CF, 4xDN63CF, 1xDN100CF
		獨立的蒸發(fā)源擋板	氣動驅(qū)動
		BFM	標(biāo)配
		RHEED	15KeV-30KeV
		Ion Source	選配
		RGA	選配
快速進(jìn)樣室	腔體	腔體材料	SS316
		烘烤溫度	Max.200℃
		本底真空	<5×10^-8 mbar
		抽氣系統(tǒng)	80L/s分子泵+10m³/h機械泵
		真空測量系統(tǒng)	全量程規(guī)
	部件	樣品停放臺	3工位
系統(tǒng)集成及控制	GUIDE軟件		標(biāo)配
	烘烤系統(tǒng)		標(biāo)配
	系統(tǒng)支架		標(biāo)配
	污染物回收系統(tǒng)		選配
	真空照明系統(tǒng)		選配
	等離子清洗		選配
	泵車		選配

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