MBE-400 分子束外延系統(tǒng)

MBE-400 主要采用氬弧焊加工的圓柱形316不銹鋼腔體，腔體頂部法蘭尺寸為DN350CF，最多能安裝10個(gè)蒸發(fā)源。預(yù)留多種法蘭口，安裝法蘭兼容RGA、RHEED、BFM等多種原位測(cè)量，束流擋板瞬時(shí)可控，實(shí)現(xiàn)2inch高質(zhì)量薄膜生長(zhǎng)。

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詳詢產(chǎn)品信息

021-6525 3206

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 蒸發(fā)源差分設(shè)計(jì)，允許在高氧或臭氧分壓下沉積氧化物材料

● 無(wú)需破壞生長(zhǎng)腔真空，實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)源的填料和替換

● 可選用高純臭氧發(fā)生系統(tǒng)或者射頻等離子源作為氧源

技術(shù)參數(shù)

MBE 400	模塊描述		配置參數(shù)
生長(zhǎng)室	腔體	腔體材料	SS316
		腔體尺寸	300mm I.D
		烘烤溫度	Max.200℃
		本底真空	< 5×10^-10 mbar
		抽氣系統(tǒng)	700L/s分子泵+10m³/h機(jī)械泵
		真空測(cè)量系統(tǒng)	離子規(guī)+Pirani規(guī)
		液氮冷屏	選配
		離子泵	選配
		低溫泵	選配
	樣品架	樣品最大尺寸	2 inch
		襯底加熱方式	輻射加熱
		襯底加熱器溫度	室溫-1200K
		電子束加熱	選配
		襯底加熱方式	選配
		液氮制冷模塊	選配
	部件	蒸發(fā)源配置	6xDN40CF, 2xDN63CF
		獨(dú)立的蒸發(fā)源擋板	氣動(dòng)驅(qū)動(dòng)
		QCM	標(biāo)配
		RHEED	15KeV-30KeV
		Ion Source	選配
		RGA	選配
快速進(jìn)樣室	腔體	腔體材料	SS316
		烘烤溫度	Max.200℃
		本底真空	<5×10^-8 mbar
		抽氣系統(tǒng)	80L/s分子泵+10m³/h機(jī)械泵
		真空測(cè)量系統(tǒng)	全量程規(guī)
	部件	樣品停放臺(tái)	3工位
系統(tǒng)集成及控制	GUIDE軟件		標(biāo)配
	烘烤系統(tǒng)		標(biāo)配
	系統(tǒng)支架		標(biāo)配
	真空照明系統(tǒng)		選配
	等離子清洗		選配
	CCD相機(jī)		選配

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