Oxide-MBE-350 分子束外延系統(tǒng)（氧化物分子束外延）

Oxide MBE 350 主要采用氬弧焊加工的圓柱形316不銹鋼腔體，腔體頂部法蘭尺寸為DN300CF。MBE350系統(tǒng)最多可安裝9個(gè)蒸發(fā)源，預(yù)留多種法蘭口，可結(jié)合RHEED實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜生長(zhǎng)。系統(tǒng)可引入具有氧化性的氣體來外延生長(zhǎng)金屬氧化物薄膜。

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詳詢產(chǎn)品信息

021-6525 3206

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 蒸發(fā)源差分設(shè)計(jì)，允許在高氧或臭氧分壓下沉積氧化物材料

● 無(wú)需破壞生長(zhǎng)腔真空，實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)源的填料和替換

● 可選用高純臭氧發(fā)生系統(tǒng)或者射頻等離子源作為氧源

技術(shù)參數(shù)

Oxide-MBE-350	模塊描述		配置參數(shù)
生長(zhǎng)室	腔體	腔體材料	SS316
		腔體尺寸	200mm I.D
		烘烤溫度	Max.200℃
		本底真空	< 5×10^-10 mbar
		抽氣系統(tǒng)	450L/s分子泵+10m³/h機(jī)械泵
		真空測(cè)量系統(tǒng)	離子規(guī)+Pirani規(guī)
		液氮冷屏	選配
		離子泵	選配
	樣品架	樣品尺寸	Flag-type樣品托
		襯底加熱方式	輻射加熱
		襯底加熱器溫度	室溫-1200K
	部件	蒸發(fā)源配置	6xDN40CF, 2xDN63CF
		獨(dú)立的蒸發(fā)源擋板	氣動(dòng)驅(qū)動(dòng)
		QCM	標(biāo)配
		RHEED	15KeV-30KeV
		Ion Source	選配
		臭氧發(fā)生模塊	選配
		射頻等離子源	選配
快速進(jìn)樣室	腔體	腔體材料	SS316
		烘烤溫度	Max.200℃
		本底真空	<5×10^-8 mbar
		抽氣系統(tǒng)	80L/s分子泵+10m³/h機(jī)械泵
		真空測(cè)量系統(tǒng)	全量程規(guī)
	部件	樣品停放臺(tái)	6或12工位
系統(tǒng)集成及控制	GUIDE軟件		標(biāo)配
	烘烤系統(tǒng)		標(biāo)配
	系統(tǒng)支架		標(biāo)配
	真空照明系統(tǒng)		選配
	等離子清洗		泵車
	CCD相機(jī)		選配

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Oxide-MBE-350 分子束外延系統(tǒng)（氧化物分子束外延）