Sphere 300 主要采用氬弧焊加工的球形316不銹鋼腔體，腔體直徑為300mm，最多可安裝5個蒸發(fā)源。Sphere 300 生長腔體預(yù)留多種法蘭口，功能完善，能實現(xiàn)RHEED原位表征。系統(tǒng)適用于小尺寸（匹配旗形樣品托）樣品生長，非常適合科研用戶用于高質(zhì)量薄膜制備。
| ● 一套小型、經(jīng)濟型的分子束外延系統(tǒng) | ● 可結(jié)合RHEED原位測量，功能完善的分子束外延系統(tǒng) | ● 可作為預(yù)處理系統(tǒng)，用于生長前或者生長后樣品處理 |
| Sphere-300 | 模塊描述 | 配置參數(shù) | |
| 生長室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 腔體尺寸 | 300mm I.D | ||
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | < 5×10-10 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 300L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統(tǒng) | 離子規(guī)+Pirani規(guī) | ||
| 離子泵 | 選配 | ||
| 樣品架 | 樣品尺寸 | Flag-type樣品托 | |
| 襯底加熱方式 | 輻射加熱 | ||
| 襯底加熱器溫度 | 室溫-1200K | ||
| 電子束加熱 | 選配 | ||
| 直流加熱 | 選配 | ||
| 液氮制冷模塊 | 選配 | ||
| 部件 | 蒸發(fā)源配置 | 3xDN40CF, 1xDN100CF | |
| 獨立的蒸發(fā)源擋板 | 氣動驅(qū)動 | ||
| QCM | 標配 | ||
| RHEED | 15KeV-30KeV | ||
| Ion Source | 選配 | ||
| RGA | 選配 | ||
| 超導(dǎo)磁體 | 磁體類型 | 干式/GM制冷 | |
| 磁體環(huán)境 | 室溫腔體 | ||
| 腔體內(nèi)徑 | 105mm | ||
| 磁場強度 | ±9T | ||
| 磁場均勻性 | <0.1% | ||
| 快速進樣室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | <5×10-8 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 80L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統(tǒng) | 全量程規(guī) | ||
| 部件 | 樣品停放臺 | 6或12工位 | |
| 傳樣桿 | CF35/600mm | ||
| 機械手 | CF35/150mm | ||
| 系統(tǒng)集成及控制 | GUIDE軟件 | 標配 | |
| 烘烤系統(tǒng) | 標配 | ||
| 系統(tǒng)支架 | 標配 | ||
| 真空照明系統(tǒng) | 選配 | ||
| 等離子清洗 | 選配 | ||
| CCD相機 | 選配 | ||
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